Tegumentum in filis et funibus adhibitum duas omnino diversas notiones habet: tegumentum electromagneticum et tegumentum campi electrici. Tegumentum electromagneticum destinatur ad prohibendum ne funes signa altae frequentiae transmittentes (ut funes RF et funes electronici) interferentiam externam efficiant, vel ad undas electromagneticas externas prohibendas ne funes qui currentes debiles transmittunt (ut funes signorum vel mensurae) interferant, necnon ad diaphoniam inter fila minuendam. Tegumentum campi electrici destinatur ad campum electricum validum in superficie conductoris vel superficie insulationis funium potentiae mediae et altae tensionis aequilibrandum.
1. Structura et Requisita Stratorum Protegentium Campi Electrici
Tegumentum funium electricorum includit tegumentum conductorum, tegumentum insulationis, et tegumentum metallicum. Secundum normas pertinentes, funes cum tensione nominali maiore quam 0.6/1kV stratum metallicum tegumenti habere debent, quod ad singulos nucleos insulatos vel ad nucleum funis multi-conductoris applicari potest. Pro funibus XLPE-insulatis cum tensione nominali non minore quam 3.6/6kV et funibus EPR tenuiter insulatis cum tensione nominali non minore quam 3.6/6kV (vel funibus crasse insulatis cum tensione nominali non minore quam 6/10kV), structurae semiconductivae internae et externae etiam requiruntur.
(1) Protectio Conductorum et Protectio Insulationis
Tegumentum conductoris (tegumentum semiconductivum interius) non metallicum esse debet, constans ex materia semiconductiva extrusa vel taenia semiconductiva circa conductorem involuta, deinde strato semiconductivo extruso.
Tegumentum insulationis (tegumentum semiconducens externum) est stratum semiconducens non metallicum directe in superficiem externam cuiusque nuclei insulati extrusum, quod vel arcte adhaeri vel ab insulatione detrahi potest. Strata semiconducentia interna et externa extrusa arcte ad insulationem adhaerere debent, cum superficiebus levibus, nullis notis filorum manifestis, et nullis marginibus acutis, particulis, notis ustionis, aut scalpturis. Resistivitas ante et post senescentem non debet excedere 1000 Ω·m pro strato tegumenti conductoris et 500 Ω·m pro strato tegumenti insulationis.
Materiae semiconductivae interiores et exteriores protegentes fiunt mixtura materiarum insulationis congruentium (velut polyethylene reticulatum, gummi ethyleni-propyleni, etc.) cum carbone nigro, antioxidantibus, copolymero ethyleni-vinylacetato, aliisque additivis. Particulae carbonis nigri uniformiter dispergendae sunt intra polymerum, sine agglomeratione aut dispersione mala.
Crassitudo stratorum semiconductivorum interiorum et exteriorum cum gradu tensionis crescit. Quia vis campi electrici in strato insulationis maior intus et minor extus est, crassitudo stratorum semiconductivorum etiam maior intus quam extra esse debet. Olim, tegumentum semiconductivum externum paulo crassius quam interius fiebat, ne scalpturae ob malam deflexionem moderationem vel perforationes a taeniis cupreis nimis duris causatas essent. Nunc, cum monitorio automatico deflexionis in linea et taeniis cupreis mollibus recoctis, stratum semiconductivum interius paulo crassius vel aequale strato externo fieri debet. Pro funibus 6-10-35 kV, crassitudo strati interni plerumque 0.5-0.6-0.8 mm est.
(2) Tegumentum Metallicum
Funibus cum tensione nominali maiore quam 0.6/1kV stratum metallicum muniendum esse oportet. Stratum metallicum muniens ad singulos nucleos insulatos vel nucleos funis applicandum est. Tutela metallica ex una pluribusve taeniis metallicis, plexibus metallicis, stratis concentricis filorum metallicorum, vel combinatione filorum metallicorum et taeniarum metallicarum constare debet.
In Europa aliisque terris progressis, propter usum systematum duplicis circuiti resistentia fundatarum cum maioribus currentibus circuitus brevis, tutela filorum cupreorum vulgo adhibetur. Quidam fabri fila cuprea in vaginam separationis vel vaginam externam includunt ut diametrum funis minuant. In Sinis, exceptis quibusdam inceptis magni momenti quae systemata duplicis circuiti resistentia fundata utuntur, pleraque systemata fontes potentiae singularis circuiti arcus suppressoris cum spira fundata utuntur, qui currentem circuitus brevis ad minimum coercent, ita tutela taeniae cupreae adhiberi potest. Officinae funium taenias cupreas duras emptas per scissuras et recoctionem tractant ut certam elongationem et robur tensile assequantur (nimis dura stratum tutelae insulationis scalpet, nimis mollis rugosum faciet) ante usum. Taeniae cupreae molles cum GB/T11091-2005 Taenia Cuprea pro Funibus congruere debent.
Tegumentum e taenia cuprea constare debet ex uno strato taeniae cupreae mollis imbricatae vel duabus stratis taeniae cupreae mollis helicaliter involutae cum intervallis. Media proportio imbricationis taeniae cupreae debet esse 15% latitudinis suae (valoris nominalis), et minima proportio imbricationis non debet esse minor quam 5%. Crassitudo nominalis taeniae cupreae debet esse saltem 0.12 mm pro funibus unipolaribus et saltem 0.10 mm pro funibus multipolaribus. Crassitudo minima taeniae cupreae debet esse non minor quam 90% valoris nominalis. Pro diametro externo tegumenti insulationis (≤25 mm vel >25 mm), latitudo taeniae cupreae plerumque est 30-35 mm.
Tegumentum filorum cupreorum ex filis cupreis mollibus helicaliter convolutis fit, involucro contrahelicali filorum cupreorum vel taeniarum cuprearum firmato. Resistentia eius requisitis GB/T3956-2008 de Conductoribus Funium satisfacere debet, et area sectionis transversalis nominalis secundum capacitatem currentis defectus determinanda est. Tegumentum filorum cupreorum super vaginam internam filorum trifilarium vel directe super insulationem, stratum externum semiconductivum tegumenti, vel vaginam internam idoneam filorum unifilarium applicari potest. Spatium medium inter fila cuprea vicina 4 mm non excedere debet. Spatium medium G hac formula computatur:
ubi:
D – diameter nuclei funis sub tegumento fili cuprei, in mm;
d – diameter fili cuprei, in mm;
n – numerus filorum cupreorum.
2. Munus Stratorum Protegentium et Relatio Eorum ad Gradus Tensionis
(1) Munus Tutelae Semiconductivae Internae et Externae
Conductores funium plerumque ex multis filis filatis compacti sunt. Dum materia insulans extruditur, rimae, bavae, aliaeque irregularitates superficiales inter superficiem conductoris et stratum insulans oriri possunt, quae concentrationem campi electrici causant, quae ad localem exonerationem interstitii aeris et exonerationem arboris ducit, et functionem dielectricam minuunt. Extrudendo stratum materiae semiconductivae (tegumentum conductoris) super superficiem conductoris, contactus firmus cum materia insulante efficitur. Quia stratum semiconductivum et conductor eodem potentiali sunt, etiam si rimae inter ea sunt, nulla actio campi electrici erit, ita exonerationes partiales prohibens.
Similiter, inter superficiem insulationis externam et vaginam metallicam (vel tegumentum metallicum) hiatus exstant, et quo altior est gradus tensionis, eo probabilius est ut exoneratio hiatus aerei fiat. Extrudendo stratum semiconductivum (tegumentum insulationis) in superficie insulationis externa, superficies aequipotentialis externa cum vagina metallica formatur, campos electricos in hiatibus eliminans et exonerationes partiales prohibens.
(2) Munus Tutelae Metallicae
Munera tutelae metallicae haec sunt: currentem capacitivam sub condicionibus normalibus portare, viam currenti brevi circuitui praebere in defectibus; campum electricum intra insulationem coercere (interferentiam electromagneticam externam minuere) et campum electricum radialem uniformem curare; lineam neutram in systematibus triphasicis quattuor filorum agere ad currentem inaequalem transportandum; et protectionem radialem contra aquam obstruendam praebere.
Tempus publicationis: Die XXVIII mensis Iulii, anno MMXXXV