Processus Fabricationis Taeniae Pulvinariae Semi-Conductivae Aquae Obstruentis

Technologiae Prelum

Processus Fabricationis Taeniae Pulvinariae Semi-Conductivae Aquae Obstruentis

Cum continuo progressu oeconomiae et societatis et continua acceleratione processus urbanizationis, fila supra capita tradita iam necessitatibus progressionis socialis satisfacere non possunt, ita fila in terra sepulta exstiterunt. Ob peculiaritatem ambitus in quo filum subterraneum situm est, filum valde probabile est ab aqua corrodi, ita necesse est taeniam aquam prohibentem addere in fabricatione ad filum protegendum.

Taenia semiconductiva aquam obstruens, pulvinar, ex tela non-texta e fibra polyesterica semiconductiva, glutino semiconductivo, resina celerrime expansionis aquae absorbente, bombacio semiconductivo molli, aliisque materiis composita est. Saepe in involucro protectorio funium electricorum adhibetur, et partes agit campi electrici uniformis, aquam obstruendi, pulvinari, protegendi, etc. Efficax impedimentum protectivum funibus electricis est et momentum magnum habet ad vitam utilem funis prolongandam.

Taenia

Dum funis altae tensionis operatur, propter validum currentem nuclei funis in campo frequentiae electricae, impuritates, pori et percolatio aquae in strato insulationis fient, ita ut funis in eo ipso strato insulationis frangatur dum funis operatur. Nucleus funis differentias temperaturarum habebit dum laborat, et vagina metallica propter expansionem et contractionem thermalem expandetur et contrahetur. Ut phaenomeno expansionis et contractionis thermalis vaginae metallicae accommodetur, necesse est spatium intus relinquere. Hoc periculum effusionis aquae praebet, quod ad accidentia rupturae ducit. Ergo necesse est materiam aquae obstruentem maiori elasticitate praeditam adhibere, quae cum temperatura mutari potest dum munus aquae obstruens fungitur.

Speciatim, taenia semiconductiva aquam obstruens, pulvinar, tribus partibus constat: stratum superius est materia basis semiconductiva bonae resistentiae tensionis et temperaturae; stratum inferius est materia basis semiconductiva relative mollis; et stratum medium est materia aquae resistentis semiconductiva. In processu fabricationis, primum, glutinum semiconductivum uniformiter ad telam basim per tincturam vel linimentum adhaeret, et materia basis texti eligitur ut tela polyesterica non texta et bombax bentonitica, etc. Mixtura semiconductiva deinde in duabus stratis basis semiconductivis glutino fixatur, et materia mixturae semiconductivae eligitur ex copolymero polyacrylamidi/polyacrylati ad valorem absorptionis aquae altum et nigrum carbonis conductivum, et cetera formanda. Taenia semiconductiva aquam obstruens, pulvinar, ex duobus stratis materiae basis semiconductivae et strato materiae aquae resistivae semiconductivae composita, in taeniam secari vel in funem torqueri potest postquam in taeniam secta est.

Ut usus taeniae aquam obstruentis efficax fiat, necesse est eam in horreo sicco, procul ab igne et a luce solis directa, conservari. Dies repositionis effectivae est sex menses a die fabricationis. Dum reponitur et vehitur, diligenter attendendum est ne humiditas et damnum mechanicum taeniae aquam obstruentis inferantur.


Tempus publicationis: XXIII Septembris, MMXXII